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美光开始量产第三代16Gb DDR4内存:1Znm工艺、功耗更低

  近日,美光官方宣布已经开始量产1Znm工艺的16Gb DDR4内存,是第三代10nm级内存工艺,并且也是业界首次批量生产1Znm工艺产品,进度比三星还要迅速。

  目前美光尚未公布这款内存的具体上市时间,而美光在DRAM市场的主要竞争对手三星也在去年春季宣布称,将在今年下半年开始生产1Znm工艺8Gb DDR4模块,而可能正是因为这个原因,导致美光加速生产自己的1Znm产品,从而更快占领相关市场份额。

  本文编辑:王稀仕

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